Представлена спецификация HBM3 с удвоенной скоростью передачи данных

Организация JEDEC выложила спецификацию новой версии стандарта HBM DRAM с обозначением JESD238 HBM3. Данная память обеспечит повышенную сравнительно с предшественником HBM2 пропускную способность и увеличенную быстроту обрабатывания информации в программах, требующих внушительной мощности подуровневой системы памяти.

Главные параметры стандарта:
• Увеличенная вдвое быстрота передачи (до 6,4 Гбит/с на вывод, это равняется 819 ГБ/с на устройство)
• Число независящих друг от друга каналов увеличено вдвое – до шестнадцати. Учитывая, что на канал приходится два псевдоканала, то можно сказать, что по факту HBM3 может осуществлять тридцать два канала.
• Наличие 4-, 8-, 12-уровневых стеков TSV, при этом в перспективе можно будет расширить до 16 уровней.
• Обеспечение большого охвата плотностей на 8-32 Гбит на слой, что обеспечит емкость девайсов от 4 гигабайт (четыре слоя по 8 Гбит) до 64 гигабайт (шестнадцать - по 32 Гбит). Предполагается, что новый стандарт 1-го поколения станут иметь слои на 16 Гбит.
• Наличие возможности исправления спонтанных изменений ECC на уровне чипа.
• Усовершенствованное энергопотребление посредством применения индикаторов low-swing (0,4 В) и пониженного напряжения питания 1,1 В.

Документацию с параметрами стандарта можно загрузить с портала организации.